台基大功率半导体器件是发电、配电、输电、用电、储能的核心变流部件，可对电流、电压、功率、频率进行精确高效的控制和变换，用于电能分配、电能转换、电能控制，起到节能环保的作用，广泛应用于钢铁冶炼、电机驱动、大功率电源、输变电和配电、轨道交通、机械制造、电焊机、化工、新能源等行业和领域。公司主导产品在国内连续保持年销售数量领先，销售收入前三位，其中在感应加热应用领域的市场占有率超过50%，保持全国前列。综合实力长期位居国内大功率半导体行业前三强。
台基可控硅目前在中频熔炼行业中使用量比较大，可控硅作为中频电炉的心脏起着至关重要的作用，它的正确使用对设备的运行至关重要，公司技术部门对于大家比较头疼的台基可控硅在中频炉使用过程中频繁烧坏的原因做了深层剖析了并给出了解决方案：
一、中频炉可控硅烧坏原因
1、水垢过多
有时观察水冷套的出水量和压力是足够的，但经常由于水质问题，在水冷套的壁上附着一层水垢，由于水垢是一种导热性级差的物体，虽然有足够的水流量流过，但因为水垢的隔离是其散热效果大大降低。
2、接触不良
当槽路连接导线有接触不良或断线情况时，功率升到一定值后会产生打火现象，影响了设备的正常工作，从而导致设备保护动作。有时因打火时会在可控硅两端产生瞬时过电压，如果过压保护动作来不及，会烧坏可控硅元件。该现象经常会出现过电压、过电流同时动作。
3、负载对地打火
负载回路的绝缘降低，引起负载对地间打火，干扰了脉冲的触发时间或在可控硅两端形成高压，烧坏可控硅元件。
4、毛刺电压过高
在中频电源的主电路中，瞬时反相毛刺电压是靠阻容吸收来吸收的。如果吸收电路中电阻、电容开路均会使瞬时反相毛刺电压过高烧坏可控硅。在断电的情况下用万秀表测量吸收电阻阻值、吸收电容容量，判断是否阻容吸收回路出现故障。
5、逆变脉冲
在设备运行时如果突然丢失触发脉冲，将造成逆变开路，中频电源输出端产生高压，烧坏可控硅元件。这种故障一般是逆变脉冲形成、输出电路故障，可用示波器进行检查，也可能是逆变脉冲引线接触不良，可用手摇晃导线接头，找出故障位置。
6、负载开路
当设备正在大功率运行时，如果突然负载处于开路状态，将在输出端形成高压烧坏可控硅元件。
7、负载短路
当设备在大功率运行时，如果负载突然处于短路状态，将对可控硅有一个很大的短路电流冲击，若过电流保护动作不不及保护，将烧坏可控硅元件。
8、保护失灵
可控硅能否安全，主要是告保护系统来保证的，如果保护系统出现故障，设备稍有一点工作不正常，将危机到可控硅安全。所以，当可控硅烧坏时对保护系统的检查是必不可少的。
9、冷却故障
可控硅在工作时发热量很大，需要对其冷却才能保证正常工作，一般可控硅的冷却有两种方式：一种是水冷，另一种是风冷。水冷的应用较为广泛，风冷一般只用于100KW以下的电源设备。通常采用水冷方式的中频设备均设有水压保护电路，但基本上都是总进水的保护，若某一路出现水堵，是无法保护的。
10、电抗器打火
电抗器内部打火造成逆变侧的电流断续，也会在逆变输入侧产生高压烧坏可控硅。另外，如果在维修中更换了电抗器，而电抗器的电感量、铁芯面积小于要求值，会使电抗器在大电流工作时，因饱和失去限流作用烧坏可控硅。
二、可控硅烧坏解决办法
1、逆变管的阻容吸收回路，重点检查吸收电容器是否断路。这时，应该采用能够测量电容量的数字万用表检测电容器，仅仅测量它的通断是不够的。如果逆变吸收回路断线，极易损坏逆变管。
2、检查管子的电气参数是否满足要求，杜绝使用不合格厂家流入的元件。
3、逆变管的水套及其他冷却水路是否堵塞，虽然这种情况较少，但是属于中频炉安全管理常见问题的一种，很容易忽略。
4、注意负载有无对地打火的现象，这种情况会形成突变的高电压，造成逆变管击穿损坏。
5、运行角度偏大或偏小，都会引起逆变管频繁过流，从而损伤管子，容易造成性的损坏。
6、在不影响启动的情况下，适当加大中频电源至炉体的中频回路接线电感，可以缓解因逆变管承受过大di/dt造成的损坏。
7、中频电压的反压角过小，触发电路是否有接触不良，另外还要注意关断时间的一直性。
8、中频电压升到一定的值时，逆变器颠覆，无法在高阻抗情况下运行，元件的耐压降低或冷却效果不好，系统的绝缘性能降低，中频电压升高时机器对地短路，检查中频电容和炉子。干扰也可能引起，逆变触发线要离主电路远一些。
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