可控硅全称“可控硅整流元件”（Silicon Controlled Rectifier），简写为SCR，别名晶体闸流管（Thyristor），是一种具有三个PN结、四层结构的大功率半导体器件。它有三个引出电极，即阳极（A）、阴极（K）和门极（G）。可控硅是可以处理耐高压、大电流的大功率器件。其符号表示法和器件剖面图如下图所示。
单向可控硅和双向可控硅，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相关连，其引出端称T1极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。
可控硅体积小、结构简单、功能强，可起到变频、整流、逆变、无触点开关等多种作用，因此现已被广泛应用于各种电子产品中，如调光灯、摄像机、无线电遥控、组合音响、家电等领域！
安德斯诺（ADS）利用台面/平面钝化芯片工艺制造技术，以及利用更先进的封装工艺，开发出具有更高性能，更优价格的单向、双向可控硅产品。而且单颗最大电流可达100A以及最高1800V产品。产品系列齐全，封装形式多样。有TO-92、TO-126、TO-202、TO-220、TO-220I、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23等。可广泛应用于：低压电器、工业控制、电力电子、白色家电、黑色家电、小家电、摩配等！
安德斯诺（ADS）常用型号有：
MCR100-X系列。如:MCR100-6
MAC97AX系列。如:MAC97A6
BT13X-600/800系列。如:BT137-600
BTXX-600/800系列。如:BT50-600,XX表示电流，后面表示电压600V,800V。
同时安德斯诺（ADS）通过共阳，串并联，单/三相等组合，开发出MT模块系列，具有：体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；结构重复性好，装置的机械设计可以简化，价格比分立器件低等诸多优点。
知识补充：
常用可控硅主要参数
⒈ 额定通态电流（IT）即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
⒉反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
⒊ 控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
4.在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。
单向可控硅的导通需要两个条件：
1） 、A、K 之间加正向电压；
2） 、G、K 之间输入一个正向触发电流信号，无论是直流或脉冲信号。
若欲使可控硅关断，也有两个关断条件：
1） 、使正向导通电流值小于其工作维持电流值；
2） 、使 A、K 之间电压反向。
可见，可控硅器件若用于直流电路，一旦为触发信号开通，并保持一定幅度的流通电流 的话，则可控硅会一直保持开通状态。除非将电源开断一次，才能使其关断。若用于交流电 路，则在其承受正向电压期间，若接受一个触发信号，则一直保持导通，直到电压过零点到来，因无流通电流而自行关断。在承受反向电压期间，即使送入触发信号，可控硅也因 A、 K 间电压反向，而保持于截止状态。 可控硅器件因工艺上的离散性，其触发电压、触发电流值和导通压降，很难有统一的标 1 准。可控硅器件控制本质上如同三极管一样，为电流控制器件。功率越大，所需触发电流也 越大。触发电压范围一般为 1.5V―3V 左右，触发电流为 10mA―几百 mA 左右。峰值触发 电压不宜超过 10V，峰值触发电流也不宜超过 2A。A、K 间导通压降为 1―2V。
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